Евразийский сервер публикаций

Евразийская заявка № 202090144

   Библиографические данные

(11) Номер патентного документа

202090144

(21) Номер евразийской заявки

202090144

(22) Дата подачи евразийской заявки

2017.08.17

(51) Индексы Международной патентной классификации

H01L 35/02 (2006.01)
H01L 35/26 (2006.01)

(43)(13) Дата публикации евразийской заявки, код вида документа

A1 2020.04.09 Бюллетень № 04  тит.лист, описание 

(31) Номер заявки, на основании которой испрашивается приоритет

a 2017 06845

(32) Дата подачи заявки, на основании которой испрашивается приоритет

2017.06.30

(33) Код страны, идентифицирующий ведомство или организацию, которая присвоила номер заявки, на основании которой испрашивается приоритет

UA

(86) Номер и дата подачи международной заявки

UA2017/000084

(87) Номер и дата публикации международной заявки

2019/004988 2019.01.03

(71) Сведения о заявителе(ях)

ХВОРОСТЯНЫЙ АНДРЕЙ ДМИТРИЕВИЧ (UA)

(72) Сведения об изобретателе(ях)

Хворостяный Андрей Дмитриевич (UA), Гензель Виталий (DE)

(74) Сведения о представителе(ях)
или патентном поверенном

Котлов Д.В. (RU)

(54) Название изобретения

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР

   Реферат  [ENG]
(57) Изобретение относится к термоэлектрическим генераторам, а именно к термоэлектрическим генераторам, использующим в своей работе термоэлектрические свойства варизонных p-n-структур, то есть свойства варизонных полупроводников с акцепторными и донорными примесями (варизонных полупроводников p- и n-типа соответственно) и p-n-переходов между ними, и может быть использован для питания бытовых электроприборов, зарядки элементов питания переносных электронных устройств или другого. Термоэлектрический генератор включает выполненный с возможностью отбора тепла из окружающей среды полупроводниковый блок, содержащий по меньшей мере одну пару соединенных между собой варизонных полупроводников, состоящую из варизонного полупроводника p-типа и варизонного полупроводника n-типа, при этом широкозонная сторона P по меньшей мере одного варизонного полупроводника p-типа соединена с узкозонной стороной n по меньшей мере одного варизонного полупроводника n-типа, а при наличии еще по меньшей мере одной пары варизонных полупроводников широкозонная сторона N по меньшей мере одного варизонного полупроводника n-типа соединена с узкозонной стороной p по меньшей мере одного варизонного полупроводника p-типа. Технический результат заключается в повышении КПД и мощности термоэлектрического генератора, исключении потребности в поддержании разницы температур на контактах полупроводников, нагрева и охлаждения полупроводников, простоте конструкции и использования, удешевлении процесса производства.

 
Назад|  Новый поиск