Евразийский сервер публикаций

Евразийский патент № 037133

   Библиографические данные

(11) Номер патентного документа

037133

(21) Номер евразийской заявки

202090144

(22) Дата подачи евразийской заявки

2017.08.17

(51) Индексы Международной патентной классификации

H01L 35/02 (2006.01)
H01L 35/26 (2006.01)

(43)(13) Дата публикации евразийской заявки, код вида документа

A1 2020.04.09 Бюллетень № 04  тит.лист, описание 

(45)(13) Дата публикации евразийского патента, код вида документа

B1 2021.02.10 Бюллетень № 02  тит.лист, описание 

(31) Номер заявки, на основании которой испрашивается приоритет

a 2017 06845

(32) Дата подачи заявки, на основании которой испрашивается приоритет

2017.06.30

(33) Код страны, идентифицирующий ведомство или организацию, которая присвоила номер заявки, на основании которой испрашивается приоритет

UA

(86) Номер и дата подачи международной заявки

UA2017/000084

(87) Номер и дата публикации международной заявки

2019/004988 2019.01.03

(71) Сведения о заявителе(ях)

ХВОРОСТЯНЫЙ АНДРЕЙ ДМИТРИЕВИЧ (UA)

(72) Сведения об изобретателе(ях)

Хворостяный Андрей Дмитриевич (UA), Гензель Виталий (DE)

(73) Сведения о патентовладельце(ах)

ХВОРОСТЯНЫЙ АНДРЕЙ ДМИТРИЕВИЧ (UA)

(74) Сведения о представителе(ях)
или патентном поверенном

Котлов Д.В. (RU)

(54) Название изобретения

ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР

   Формула  [ENG]
(57) 1. Термоэлектрический генератор, который характеризуется тем, что
включает выполненный с возможностью отбора тепла из окружающей среды полупроводниковый блок, содержащий по меньшей мере одну пару соединенных между собой варизонных полупроводников, состоящую из варизонного полупроводника p-типа и варизонного полупроводника n-типа, при этом широкозонная сторона P по меньшей мере одного варизонного полупроводника p-типа соединена с узкозонной стороной n по меньшей мере одного варизонного полупроводника n-типа, а при наличии еще по меньшей мере одной пары варизонных полупроводников широкозонная сторона N по меньшей мере одного варизонного полупроводника n-типа соединена с узкозонной стороной p по меньшей мере одного варизонного полупроводника p-типа.
2. Термоэлектрический генератор по п.1, который характеризуется тем, что на внешних поверхностях полупроводникового блока, одна из которых является внешней поверхностью варизонного полупроводника р-типа с узкозонной стороной p или состоит из наружных поверхностей варизонних полупроводников p-типа с узкозонными сторонами p, а другая является внешней поверхностью варизонного полупроводника n-типа с широкозонной стороной N или состоит из наружных поверхностей варизонних полупроводников n-типа с широкозонными сторонами N, закреплены контактные элементы с контактными поверхностями, выполненные с возможностью отбора тепла из окружающей среды, а к узкозонной стороне p первого и широкозонной стороне N последнего варизонных полупроводников p-типа и n-типа соответственно присоединено по выводу.
3. Термоэлектрический генератор по п.1, который характеризуется тем, что на наружной поверхности полупроводникового блока, которая состоит из наружных поверхностей варизонного полупроводника или полупроводников p-типа с узкозонной стороной или сторонами p и варизонного полупроводника или полупроводников n-типа с широкозонной стороной или сторонами N, закреплен контактный элемент с контактной поверхностью, выполненный с возможностью отбора тепла из окружающей среды, а к узкозонной стороне p первого и широкозонной стороне N последнего варизонных полупроводников p-типа и n-типа соответственно, присоединено по выводу.
4. Термоэлектрический генератор по п.1, который характеризуется тем, что варизонные полупроводники содержат кремний и германий.
5. Термоэлектрический генератор по п.1, который характеризуется тем, что донорной примесью в варизонном полупроводнике n-типа является пятивалентный фосфор, а акцепторной примесью в варизонном полупроводнике p-типа является трехвалентный бор.
6. Термоэлектрический генератор по п.1, который характеризуется тем, что толщина варизонных полупроводников составляет от 0,2 мм.
Zoom in


 
Назад|  Новый поиск