Евразийский сервер публикаций

Евразийский патент № 037002

   Библиографические данные
(11)037002    (13) B1
(21)201992196

 A ]   B ]   C ]   D ]   E ]   F ]   G ]   H ] 

Текущий раздел: C     


Документ опубликован 2021.01.26
Текущий бюллетень: 2021-01  
Все публикации: 037002  
Реестр евразийского патента: 037002  

(22)2018.03.12
(51) C01B 39/22 (2006.01)
C01B 39/02(2006.01)
(43)A1 2020.02.07 Бюллетень № 02  тит.лист, описание 
(45)B1 2021.01.26 Бюллетень № 01  тит.лист, описание 
(31)1752197
(32)2017.03.17
(33)FR
(86)FR2018/050569
(87)2018/167415 2018.09.20
(71)АРКЕМА ФРАНС (FR)
(72)Николя Серж, Лутц Сесиль, Леконт Иван (FR)
(73)АРКЕМА ФРАНС (FR)
(74)Медведев В.Н. (RU)
(54)СПОСОБ ДЛЯ СИНТЕЗА КРИСТАЛЛОВ ЦЕОЛИТА С ЗАТРАВОЧНЫМ АГЕНТОМ
   Формула 
(57) 1. Способ для синтеза кристаллов цеолита X, включающий в себя по меньшей мере одну стадию добавления затравочного агента (агентов) в синтез-гель и по меньшей мере одну стадию формирования кристаллов цеолита X при температуре, строго больше чем 120°C.
2. Способ по п.1, включающий в себя, по меньшей мере, следующие стадии:
a) приготовление синтез-геля путем смешивания по меньшей мере одного источника кремнезема, по меньшей мере одного источника глинозема и необязательно, но предпочтительно, по меньшей мере одного водного раствора гидроксида щелочного или щелочноземельного металла;
b) смешивание упомянутого синтез-геля по меньшей мере с одним затравочным агентом для того, чтобы получить реакционную среду;
c) введение реакционной среды в реактор;
d) выполнение реакции кристаллизации при температуре больше чем 120°C;
e) фильтрование реакционной среды для извлечения произведенных кристаллов цеолита X.
3. Способ по п.1 или 2, в котором указанную по меньшей мере одну стадию формирования кристаллов цеолита X проводят при температуре, равной или больше чем 130°C.
4. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором температура кристаллизации равна или меньше чем 200°C, предпочтительно равна или меньше чем 160°C.
5. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором температура реагентов, вводимых в реактор кристаллизации, равна или больше чем 50°C, предпочтительно равна или больше чем 60°C и более предпочтительно равна или больше чем 70°C.
6. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором разность между температурой кристаллизации и температурой реагентов (Tc-Tr) составляет от 0 до 100°C, включая пределы, предпочтительно от 0 до 75°C, включая пределы, и более предпочтительно от 0 до 50°C, включая пределы.
7. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором приготовленные кристаллы цеолита являются кристаллами цеолита X, имеющего атомное отношение Si/Al от 1,00 до 1,45, предпочтительно от 1,05 до 1,45, более предпочтительно от 1,10 до 1,45 и наиболее предпочтительно от 1,10 до 1,30, включая пределы.
8. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором затравочный агент выбирается из образующих зародыши гелей, кристаллов цеолита, минеральных частиц любой природы, а также их смесей.
9. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором общее количество добавляемого затравочного агента (агентов) составляет от 0,005 до 10 мас.% по массе синтез-геля, предпочтительно от 0,01 до 5 мас.% и более предпочтительно от 0,01 до 3 мас.% по массе синтез-геля.
10. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором реакцию кристаллизации проводят при давлении от атмосферного до 1,5 МПа.
11. Способ по любому из предшествующих пунктов, проводимый непрерывно, в котором кристаллизацию осуществляют в трубчатом реакторе, снабженном осциллирующим устройством.