Евразийский сервер публикаций

Евразийская заявка № 202090144

   Библиографические данные
(21)202090144    (13) A1
(22)2017.08.17

 A ]   B ]   C ]   D ]   E ]   F ]   G ]   H ] 

Текущий раздел:      


Документ опубликован 2020.04.09
Текущий бюллетень: 2020-04  
Все публикации: 202090144  

(51) H01L 35/02 (2006.01)
H01L 35/26(2006.01)
(43)A1 2020.04.09 Бюллетень № 04  тит.лист, описание 
(31)a 2017 06845
(32)2017.06.30
(33)UA
(86)UA2017/000084
(87)2019/004988 2019.01.03
(71)ХВОРОСТЯНЫЙ АНДРЕЙ ДМИТРИЕВИЧ (UA)
(72)Хворостяный Андрей Дмитриевич (UA), Гензель Виталий (DE)
(74)Котлов Д.В. (RU)
(54)ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР
   Реферат  [ENG]
(57) Изобретение относится к термоэлектрическим генераторам, а именно к термоэлектрическим генераторам, использующим в своей работе термоэлектрические свойства варизонных p-n-структур, то есть свойства варизонных полупроводников с акцепторными и донорными примесями (варизонных полупроводников p- и n-типа соответственно) и p-n-переходов между ними, и может быть использован для питания бытовых электроприборов, зарядки элементов питания переносных электронных устройств или другого. Термоэлектрический генератор включает выполненный с возможностью отбора тепла из окружающей среды полупроводниковый блок, содержащий по меньшей мере одну пару соединенных между собой варизонных полупроводников, состоящую из варизонного полупроводника p-типа и варизонного полупроводника n-типа, при этом широкозонная сторона P по меньшей мере одного варизонного полупроводника p-типа соединена с узкозонной стороной n по меньшей мере одного варизонного полупроводника n-типа, а при наличии еще по меньшей мере одной пары варизонных полупроводников широкозонная сторона N по меньшей мере одного варизонного полупроводника n-типа соединена с узкозонной стороной p по меньшей мере одного варизонного полупроводника p-типа. Технический результат заключается в повышении КПД и мощности термоэлектрического генератора, исключении потребности в поддержании разницы температур на контактах полупроводников, нагрева и охлаждения полупроводников, простоте конструкции и использования, удешевлении процесса производства.