Евразийский сервер публикаций

Евразийский патент № 034615

   Библиографические данные
(11)034615    (13) B1
(21)201791415

 A ]   B ]   C ]   D ]   E ]   F ]   G ]   H ] 

Текущий раздел:      


Документ опубликован 2020.02.27
Текущий бюллетень: 2020-02  
Все публикации: 034615  
Реестр евразийского патента: 034615  

(22)2015.12.01
(51) C23C 16/503 (2006.01)
C23C 16/44 (2006.01)
H01L 21/31 (2006.01)
H01L 21/365 (2006.01)
H05H 1/46(2006.01)
(43)A1 2017.10.31 Бюллетень № 10  тит.лист, описание 
(45)B1 2020.02.27 Бюллетень № 02  тит.лист, описание 
(31)2014-259378
(32)2014.12.22
(33)JP
(86)JP2015/083792
(87)2016/104076 2016.06.30
(71)ЭйДжиСи ИНК. (JP)
(72)Кавахара Хиротомо, Маесиге Кадзунобу, Аомине Нобутака, Ханекава Хироси (JP)
(73)ЭйДжиСи ИНК. (JP)
(74)Медведев В.Н. (RU)
(54)АППАРАТ ДЛЯ ПЛАЗМЕННОГО CVD
   Формула 
(57) 1. Аппарат для плазменного CVD, включающий в себя
источник плазмы, соединенный с источником питания переменного тока или двумя или более источниками питания переменного тока, выполненный с возможностью генерации плазмы; и
матрицу магнитов, выполненную из множества магнитов,
причем источник плазмы имеет группу электродов,
причем группа электродов выполнена посредством расположения n электродов (n является четным целым числом, большим или равным двум), включая первый электрод и второй электрод, в порядке номеров электродов от первого электрода вдоль направления X,
причем каждый из электродов группы электродов соединен с источником питания переменного тока,
причем каждый из электродов группы имеет полую структуру электрода, простирающуюся вдоль направления Y,
причем между смежными электродами группы электродов образован выход проточного канала для газа-прекурсора,
причем матрица магнитов выполнена так, что северный полюс или южный полюс каждого из магнитов обращен к источнику плазмы, и
причем в матрице магнитов по меньшей мере для одной пары двух соседних магнитов обращенные к источнику плазмы полюса располагаются так, что являются одинаковыми, и
причем каждый из магнитов имеет форму бруска, простирающегося вдоль направления Y.
2. Аппарат для плазменного CVD по п.1, причем в матрице магнитов для всех магнитов обращенные к источнику плазмы полюса располагаются так, что являются одинаковыми.
3. Аппарат для плазменного CVD по п.1 или 2, причем число магнитов, включенных в матрицу магнитов, находится в диапазоне от (n-1) до (n+1).
4. Аппарат для плазменного CVD по любому из пп.1-3,
причем матрица магнитов включает в себя (n-1) магнитов, и
причем магниты расположены, по существу, в положениях, обращенных к каждому из выходов проточных каналов для газа-прекурсора, расположенных в группе электродов, соответственно.
5. Аппарат для плазменного CVD по любому из пп.1-3,
причем матрица магнитов включает в себя n магнитов, и
причем магниты расположены, по существу, в положениях, обращенных к электродам, составляющим группу электродов, соответственно.
6. Аппарат для плазменного CVD по любому из пп.1-5,
причем электрическое напряжение, приложенное к n/2 электродам, составляющим группу электродов, обладает полярностью, противоположной электрическому напряжению, приложенному к остальным электродам, и
причем электрические напряжения одинаковой полярности приложены к по меньшей мере одной паре из двух соседних электродов.
7. Аппарат для плазменного CVD по любому из пп.1-5,
причем электрическое напряжение, приложенное к n/2 электродам, составляющим группу электродов, обладает полярностью, противоположной электрическому напряжению, приложенному к остальным электродам, и
причем электрические напряжения одинаковой полярности приложены к электродам с четными номерами.
8. Аппарат для плазменного CVD по любому из пп.1-7, дополнительно включающий в себя транспортировочный узел, выполненный с возможностью перемещения подложки, подлежащей обработке, между источником плазмы и матрицей магнитов.
9. Аппарат для плазменного CVD по любому из пп.1-8, причем каждый электрод группы электродов включает в себя щель для выпуска плазмы.
10. Аппарат для плазменного CVD по любому из пп.1-9, причем соответствующие электроды группы электродов присоединены к единственному источнику питания переменного тока.
11. Аппарат для плазменного CVD по любому из пп.1-3, причем магниты расположены непосредственно под зазорами между электродами.
12. Аппарат для плазменного CVD по любому из пп.1-5, причем магниты расположены с регулярными интервалами.
Zoom in