Бюллетень ЕАПВ "Изобретения (евразийские заявки и патенты)"
Бюллетень 06´2019

  

(11) 

032620 (13) B1       Разделы: A B C E F G H    

(21) 

201600460

(22) 

2013.12.12

(51) 

G02F 1/00 (2006.01)
C30B 33/04
(2006.01)

(43) 

2017.01.30

(86) 

PCT/RU2013/001115

(87) 

WO 2015/088371 2015.06.18

(71) 

(73) ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИСиС" (RU)

(72) 

Малинкович Михаил Давыдович, Быков Александр Сергеевич, Григорян Седрак Гургенович, Жуков Роман Николаевич, Киселев Дмитрий Александрович, Кубасов Илья Викторович, Пархоменко Юрий Николаевич (RU)

(74) 

Протасенко М.Н. (RU)

(54) 

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ

(57) 1. Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов сегнетоэлектриков, заключающийся в образовании в пластине монокристалла сегнетоэлектрика двух монодоменных областей с противоположным направлением векторов поляризации доменов и бидоменной границей, который включает бесконтактное размещение пластины монокристалла сегнетоэлектрика с плоскопараллельными гранями в бескислородной среде рабочего пространства камеры установки фотонного отжига между двумя светопоглощающими экранами, при этом большие грани пластины монокристалла сегнетоэлектрика расположены параллельно продольным осям светопоглощающих экранов, последующее формирование в камере установки фотонного отжига двух встречных параллельных световых потоков, направленных перпендикулярно большим граням пластины монокристалла сегнетоэлектрика и продольным осям светопоглощающих экранов, причем мощность каждого светового потока задают из условий обеспечения полного прогрева пластины монокристалла сегнетоэлектрика в диапазоне температур не менее температуры Кюри и не более температуры плавления сегнетоэлектрика, дальнейший прогрев пластины монокристалла сегнетоэлектрика при заданных условиях и ее охлаждение с заданным градиентом температуры, меняющейся от минимального значения на противоположных больших гранях пластины монокристалла сегнетоэлектрика до максимального значения в области формирования бидоменной границы, причем между пластиной сегнетоэлектрика и светопоглощающими экранами размещены бруски, выполненные из сапфира.

2. Способ по п.1, в котором пластину монокристалла сегнетоэлектрика охлаждают с градиентом температуры 10°С/мм.

3. Способ по п.1, в котором пластину монокристалла сегнетоэлектрика охлаждают с градиентом температуры 3°С/мм.

4. Способ по п.1, в котором пластина монокристалла сегнетоэлектрика выполнена из монокристалла ниобата лития LiNbO3.

5. Способ по п.1, в котором светопоглощающие экраны выполнены в виде пластин из кристаллического кремния.

6. Способ по п.1, в котором месторасположение и форма границы бидоменной структуры формируется за счет изменения интенсивности и мощности светового потока.

Увеличить масштаб


наверх