Бюллетень ЕАПВ "Изобретения (евразийские заявки и патенты)"
Бюллетень 12´2018

  

(21) 

201891566 (13) A1       Разделы: A B C D E F G H    

(22) 

2016.06.13

(51) 

G09G 3/36 (2006.01)

(31) 

201610331196.1

(32) 

2016.05.18

(33) 

CN

(86) 

PCT/CN2016/085598

(87) 

WO 2017/197684 2017.11.23

(71) 

УХАНЬ ЧАЙНА СТАР ОПТОЭЛЕКТРОНИКС ТЕКНОЛОДЖИ КО., ЛТД (CN)

(72) 

Ли Яфэн (CN)

(74) 

Носырева Е.Л. (RU)

(54) 

СХЕМА ДРАЙВЕРА ЗАТВОРА НА МАТРИЦЕ (GOA) НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ИЗ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ПОЛИКРЕМНИЯ (LTPS)

(57) Схема GOA на основе полупроводниковых тонкопленочных транзисторов из LTPS, содержащая множество подключенных последовательно блоков GOA. Каждый из множества блоков GOА содержит модуль (32) управления разверткой, выходной модуль (34), модуль (36) снижения напряжения и выходной регулировочный модуль (38). Благодаря тому что предусмотрен выходной регулировочный модуль (38), образованный девятым тонкопленочным транзистором, десятым тонкопленочным транзистором, одиннадцатым тонкопленочным транзистором и двенадцатым тонкопленочным транзистором (T9, T10, T11 и T12), либо в прямой развертке, либо в обратной развертке уровень напряжения четвертого узла M(n) перемещается между высоким уровнем напряжения и низким уровнем напряжения (VGH и VGL) со вторым синхронизирующим сигналом (CK2), и, таким образом, происходит одинаковое перемещение между высоким и низким уровнями напряжения. По сравнению с традиционной технологией, где высокий и низкий уровни напряжения выходного зажима G(n) в основном обеспечиваются с использованием второго тонкопленочного транзистора (T2), в схеме GOA на основе полупроводниковых тонкопленочных транзисторов из LTPS за один и тот же период времени до определенной степени повышается нагрузочная способность выходного зажима G(n) и улучшается зарядная емкость пикселей в плоскости для обеспечения лучшего результата отображения на жидкокристаллической панели.

Увеличить масштаб


наверх