Бюллетень ЕАПВ "Изобретения (евразийские заявки и патенты)"
Бюллетень 09´2018

  

(11) 

030781 (13) B1       Разделы: A B C E F G H    

(21) 

201590012

(22) 

2013.06.14

(51) 

H01L 51/52 (2006.01)

(31) 

10-2012-0063851; 61/659,597

(32) 

2012.06.14

(33) 

KR; US

(43) 

2015.07.30

(86) 

PCT/KR2013/005291

(87) 

WO 2013/187736 2013.12.19

(71) 

(73) СЭН ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС (KR)

(72) 

Ли Йоунг Сеонг, Хан Дзин Воо, Баек Дзи Воонг (KR)

(74) 

Медведев В.Н. (RU)

(54) 

МНОГОСЛОЙНАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ОСВЕТИТЕЛЬНОГО УСТРОЙСТВА НА ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОДИОДАХ, СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ОСВЕТИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО НА ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОДИОДАХ С ЭТОЙ СТРУКТУРОЙ

(57) 1. Многослойная структура для осветительного органического светодиодного устройства (OLED устройства), содержащая прозрачную подложку и

внутренний выводящий свет слой, сформированный на одной стороне прозрачной подложки, при том что внутренний выводящий свет слой содержит

рассеивающую область, включающую рассеивающие элементы, составленные из твердых частиц и пор, причем концентрация твердых частиц уменьшается при удалении от границы раздела с прозрачной подложкой, а концентрация пор увеличивается при удалении от границы раздела с прозрачной подложкой, в то время как общее распределение рассеивающих элементов уменьшается при удалении от границы раздела с прозрачной подложкой,

таким образом, чтобы сформировать наивысшую плотность рассеивающих элементов в области, прилегающей к границе раздела с прозрачной подложкой;

при этом рассеивающая область разделена на первую подобласть и вторую подобласть, при этом большинство твердых частиц присутствуют в первой подобласти, которая сформирована первой фриттовой пастой, включающей в себя твердые частицы, и большинство пор содержится во второй подобласти, которую формируют с помощью второй фриттовой пасты, в которой не содержится никаких твердых частиц; и

свободную область, где не присутствуют рассеивающие элементы, сформированную на заданную глубину от поверхности внутреннего выводящего свет слоя, противоположной границе раздела с прозрачной подложкой.

2. Многослойная структура для OLED устройства по п.1, в которой больше чем приблизительно 90% всех твердых частиц находятся в первой подобласти, соответствующей половине или двум третьим общей толщины внутреннего выводящего свет слоя.

3. Многослойная структура для OLED устройства по п.2, в которой концентрация пор во второй подобласти выше, чем концентрация пор в первой подобласти, причем вторая подобласть расположена между границей первой подобласти и границей свободной области.

4. Многослойная структура для OLED устройства по п.3, в которой первая подобласть имеет толщину приблизительно 5-15 мкм, вторая подобласть имеет толщину приблизительно 3-10 мкм и общая толщина внутреннего выводящего свет слоя составляет приблизительно 8-25 мкм.

5. Многослойная структура для OLED устройства по п.4, в которой свободная область имеет толщину приблизительно 0,25-2,0 мкм.

6. Многослойная структура для OLED устройства по любому одному из пп.1-5, в которой концентрация рассеивающих элементов постепенно снижается при удалении от поверхности раздела до границы свободной области.

7. Многослойная структура для OLED устройства по любому одному из пп.1-5, в которой твердые частицы содержат по меньшей мере один оксид, выбранный из группы, состоящей из SiO2, TiO2 и ZrO2.

8. Многослойная структура для OLED устройства по любому одному из пп.1-5, в которой внутренний выводящий свет слой содержит стеклянный материал.

9. Многослойная структура для OLED устройства по п.8, в которой стеклянный материал содержит приблизительно 55-84 вес.% Bi2O3, от 0 до приблизительно 20 вес.% ВаО, приблизительно 5-20 вес.% ZnO, приблизительно 1-7 вес.% Al2O3, приблизительно 5-15 вес.% SiO2, приблизительно 5-20 вес.% В2О3 и от 0 до приблизительно 0,3 вес.% СеО2.

10. Многослойная структура для OLED устройства по любому одному из пп.1-5, которая дополнительно содержит прозрачный барьерный слой, сформированный на внутреннем выводящем свет слое.

11. Многослойная структура для OLED устройства по п.10, в которой барьерный слой содержит SiO2 и/или Si3N4.

12. Многослойная структура для OLED устройства по п.10, в которой барьерный слой имеет толщину приблизительно 5-50 нм.

13. Способ изготовления многослойной структуры для органического светодиодного (OLED) устройства, включающий

подготовку прозрачной подложки;

нанесение на прозрачную подложку первой фриттовой пасты, содержащей фритту и твердые частицы, и сушку полученной подложки, причем твердые частицы имеют концентрацию, которая уменьшается при удалении от границы раздела с прозрачной подложкой, и наивысшая концентрация рассеивающих элементов сформирована в области, прилегающей к границе раздела с прозрачной подложкой;

нанесение второй фриттовой пасты, содержащей фритту, на нанесенный слой первой фриттовой пасты, причем указанное нанесение второй фриттовой пасты формирует область, имеющую высокую концентрацию пор во внутреннем выводящем слое, и свободную область, где не присутствуют рассеивающие элементы от поверхности внутреннего выводящего слоя на заданную глубину;

выравнивание поверхности нанесенного слоя второй фриттовой пасты путем выдержки полученной подложки, на которую нанесены первая и вторая фриттовые пасты, в течение заданного времени и затем сушку полученной подложки; и

нагрев прозрачной подложки, на которую нанесены первая и вторая фриттовые пасты,

причем большинство твердых частиц присутствуют в первой области, которая сформирована первой фриттовой пастой, включающей в себя твердые частицы, и большинство пор содержится во второй области, которую формируют с помощью второй фриттовой пасты, в которой не содержится никаких твердых частиц.

14. Способ по п.13, в котором первая фриттовая паста содержит приблизительно 70-80 вес.% фритты и приблизительно 0,5-6 вес.% твердых частиц, а остаток в вышеупомянутой содержит связующее и растворитель.

15. Способ по п.13, в котором вторая фриттовая паста содержит приблизительно 66-76 вес.% фритты, а остаток в вышеупомянутой содержит связующее и растворитель.

16. Способ по п.13 или 14, в котором твердые частицы содержат по меньшей мере один оксид, выбранный из группы, состоящей из SiO2, TiO2 и ZrO2.

17. Способ по п.13, в котором фритта содержит приблизительно 55-84 вес.% Bi2O3, от 0 до приблизительно 20 вес.% ВаО, приблизительно 5-20 вес.% ZnO, приблизительно 1-7 вес.% Al2O3, приблизительно 5-15 вес.% SiO2, приблизительно 5-20 вес.% B2O3 и от 0 до приблизительно 0,3 вес.% СеО2.

18. Способ по п.13, в котором при выравнивании поверхности нанесенного слоя второй фриттовой пасты поверхность второй фриттовой пасты нанесенного слоя быстро выравнивают с помощью облучения ультразвуковыми волнами нанесенных слоев первой и второй фриттовых паст и в это же самое время активирована диффузионная область твердых частиц между нанесенными слоями первой и второй фриттовых паст, а после этого сушат.

19. Способ по п.13, который дополнительно включает в себя формирование барьерного слоя, который содержит SiO2 и/или Si3N4, после нагрева прозрачной подложки, на которую нанесены первая и вторая фриттовые пасты.

20. Способ по п.19, в котором барьерный слой имеет толщину приблизительно 5-50 нм.

21. Органическое светодиодное (OLED) устройство, содержащее

многослойную структуру по п.1;

прозрачный электродный слой, сформированный на внутреннем выводящем свет слое указанной структуры;

органический слой, сформированный на прозрачном электродном слое; и

отражающий электрод, сформированный на органическом слое.

22. OLED устройство по п.21, в котором больше чем примерно 90% всех твердых частиц находятся в первой подобласти, соответствующей половине или двум третьим общей толщины внутреннего выводящего свет слоя.

23. OLED устройство по п.22, в котором концентрация пор во второй подобласти выше, чем концентрация пор в первой подобласти, причем вторая подобласть расположена между границей первой подобласти и границей свободной области.

24. OLED устройство по любому одному из пп.21-23, в котором концентрация рассеивающих элементов постепенно снижается при удалении от поверхности раздела до границы свободной области.

25. OLED устройство по любому одному из пп.21-23, в котором внутренний выводящий свет слой содержит стеклянный материал, который содержит приблизительно 55-84 вес.% Bi2O3, от 0 до приблизительно 20 вес.% ВаО, приблизительно 5-20 вес.% ZnO, приблизительно 1-7 вес.% Al2O3, приблизительно 5-15 вес.% SiO2, приблизительно 5-20 вес.% B2O3 и от 0 до приблизительно 0,3 вес.% СеО2.

26. OLED устройство по любому одному из пп.21-23, дополнительно включающее в себя барьерный слой, который содержит SiO2 и/или Si3N4 и сформирован между внутренним выводящим свет слоем и прозрачным электродным слоем.

27. OLED устройство по п.26, в котором барьерный слой имеет толщину приблизительно 5-50 нм.

Увеличить масштаб


наверх