(21)	201890168 (13) A1	Разделы: A B C E F G H
(22)	2016.07.13
(51)	H01L 33/08 (2010.01) H01L 33/18 (2010.01) H01L 33/24 (2010.01) H01L 33/44 (2010.01)
(31)	1512230.2; 1600150.5
(32)	2015.07.13; 2016.01.05
(33)	GB
(86)	PCT/EP2016/066696
(87)	WO 2017/009395 2017.01.19
(71)	КРАЙОНАНО АС; НОРВИДЖЕН ЮНИВЕPСИТИ ОФ САЙЕНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ (ЭнТиЭнЮ) (NO)
(72)	Ким Дон Чуль, Хёиос Ида Мари Э, Хеймдаль Карл Филип Й., Фимланд Бъёрн Ове М. (NO), Веман Хельге (CH)
(74)	Поликарпов А.В., Соколова М.В., Путинцев А.И., Черкас Д.А., Игнатьев А.В. (RU)
(54)	НАНОПРОВОЛОКА ИЛИ НАНОПИРАМИДКИ, ВЫРАЩЕННЫЕ НА ГРАФИТОВОЙ ПОДЛОЖКЕ

(57) Композиция, содержащая графитовую подложку, возможно расположенную на носителе, зародышевый слой, имеющий толщину не более 50 нм, осажденный непосредственно поверх указанной подложки, с противоположной стороны от любого носителя, и оксидный или нитридный маскирующий слой непосредственно поверх указанного зародышевого слоя, где присутствуют отверстия, проходящие через указанный зародышевый слой и указанный маскирующий слой до указанной графитовой подложки, и из указанной подложки в указанных отверстиях выращены нанопроволоки или нанопирамидки, которые содержат по меньшей мере одно полупроводниковое соединение группы III-V.