Бюллетень ЕАПВ "Изобретения (евразийские заявки и евразийские патенты)"
Бюллетень 07´2018

  

(11) 

030379 (13) B1       Разделы: A B C D E F G H    

(21) 

201400545

(22) 

2009.08.04

(51) 

H05H 1/00 (2006.01)
H01L 21/469
(2006.01)

(31) 

61/137,839

(32) 

2008.08.04

(33) 

US

(43) 

2014.08.29

(62) 

201100298; 2009.08.04

(71) 

(73) ЭЙ-ДЖИ-СИ ФЛЕТ ГЛАСС НОРТ ЭМЕРИКЕ, ИНК. (US); АСАХИ ГЛАСС КО., ЛТД (JP); ЭЙ-ДЖИ-СИ ГЛАСС ЮЭРОП (BE)

(72) 

Машвитц Питер (US)

(74) 

Веселицкая И.А., Кузенкова Н.В., Веселицкий М.Б., Каксис Р.А., Белоусов Ю.В., Куликов А.В., Кузнецова Е.В. (RU)

(54) 

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПЛАЗМЕННО-ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ (ВАРИАНТЫ)

(57) 1. Способ формирования покрытия с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы (ПХОГФ), при осуществлении которого

получают плазму, используя источник плазмы, включающий: (i) первую электронно-активную поверхность, (ii) вторую электронно-активную поверхность и (iii) источник питания, с которым электрически соединены электронно-активные поверхности, выполненный с возможностью попеременного изменения полярности напряжения и подачи напряжения на первую электронно-активную поверхность, сдвинутого по фазе относительно напряжения, подаваемого на вторую электронно-активную поверхность, вызывая поток тока, включающий электроны между электронно-активными поверхностями, так что источник плазмы создает плазму между электронно-активными поверхностями, по существу, при предотвращении возникновения тока Холла;

пропускают газ-прекурсор и газ-реагент вблизи плазмы;

помещают вблизи плазмы подложку, по меньшей мере на одну поверхность которой должно быть нанесено покрытие;

подвергают воздействию энергии газ-прекурсор, разлагая его частично или полностью; и

осаждают с использованием ПХОГФ покрытие на указанную по меньшей мере одну поверхность подложки, при этом связывая с ней или конденсируя на ней химический фрагмент газа-прекурсора, содержащего нужный химический элемент для покрытия.

2. Способ по п.1, в котором покрытие наносят со скоростью по меньшей мере примерно 0,2 мкм/с.

3. Способ по п.2, в котором покрытие наносят со скоростью по меньшей мере примерно 0,3 мкм/с.

4. Способ по п.1, в котором покрытие наносят со скоростью по меньшей мере примерно 0,5 мкм/с.

5. Способ по п.1, в котором обеспечивают вблизи плазмы по меньшей мере одно магнитное поле, которое располагают так, чтобы отклонять и(или) уплотнять плазму.

6. Способ по п.5, в котором плазма линейной формы имеет длину по меньшей мере 0,5 м.

7. Способ по п.1, в котором плазма линейной формы имеет длину по меньшей мере 0,5 м.

8. Способ формирования покрытия с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы (ПХОГФ), при осуществлении которого

получают плазму, используя источник плазмы, включающий: (i) первую электронно-активную поверхность, (ii) вторую электронно-активную поверхность и (iii) источник питания, с которым электрически соединены электронно-активные поверхности, выполненный с возможностью попеременного изменения полярности напряжения и подачи напряжения на первую электронно-активную поверхность, сдвинутого по фазе относительно напряжения, подаваемого на вторую электронно-активную поверхность, вызывая поток тока, включающий электроны между электронно-активными поверхностями, так что источник плазмы создает плазму между электронно-активными поверхностями, по существу, при предотвращении возникновения тока Холла;

пропускают газ-прекурсор и газ-реагент вблизи плазмы;

помещают вблизи плазмы подложку, по меньшей мере на одну поверхность которой должно быть нанесено покрытие;

подвергают воздействию энергии газ-прекурсор, разлагая его частично или полностью; и

осаждают с использованием ПХОГФ покрытие на указанную по меньшей мере одну поверхность подложки, при этом связывая с ней или конденсируя на ней химический фрагмент газа-прекурсора, содержащего нужный химический элемент для покрытия.

9. Способ по п.8, в котором покрытие наносят со скоростью по меньшей мере примерно 0,2 мкм/с.

10. Способ по п.9, в котором покрытие наносят со скоростью по меньшей мере примерно 0,3 мкм/с.

11. Способ по п.10, в котором покрытие наносят со скоростью по меньшей мере примерно 0,5 мкм/с.

12. Способ по п.8, в котором двумерная плазма имеет длину по меньшей мере 0,5 м.

13. Способ формирования покрытия с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы (ПХОГФ), при осуществлении которого

получают плазму, используя источник плазмы, включающий: (i) первую электронно-активную поверхность, (ii) вторую электронно-активную поверхность и (iii) источник питания, с которым электрически соединены электронно-активные поверхности, выполненный с возможностью попеременного изменения полярности напряжения и подачи напряжения на первую электронно-активную поверхность, сдвинутого по фазе относительно напряжения, подаваемого на вторую электронно-активную поверхность, вызывая поток тока, включающий электроны между электронно-активными поверхностями, так что источник плазмы создает плазму между электронно-активными поверхностями, по существу, при предотвращении возникновения тока Холла;

пропускают газ-прекурсор и газ-реагент вблизи плазмы;

помещают вблизи плазмы подложку, по меньшей мере на одну поверхность которой должно быть нанесено покрытие;

подвергают воздействию энергии газ-прекурсор, разлагая его частично или полностью; и

осаждают с использованием ПХОГФ покрытие на указанную по меньшей мере одну поверхность подложки,

причем при частичном или полном разложении газа-прекурсора под воздействием энергии формируются конденсируемые молекулярные образования, которые сцепляются по меньшей мере с одной поверхностью подложки.

14. Способ по п.13, в котором покрытие наносят со скоростью по меньшей мере примерно 0,2 мкм/с.

15. Способ по п.14, в котором покрытие наносят со скоростью по меньшей мере примерно 0,3 мкм/с.

16. Способ по п.15, в котором покрытие наносят со скоростью по меньшей мере примерно 0,5 мкм/с.

17. Способ по п.13, в котором обеспечивают вблизи плазмы по меньшей мере одно магнитное поле, которое располагают так, чтобы отклонять и/или уплотнять плазму.

18. Способ по п.17, в котором плазма линейной формы имеет длину по меньшей мере 0,5 м.

19. Способ по п.13, в котором плазма линейной формы имеет длину по меньшей мере 0,5 м.

20. Способ формирования покрытия с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы (ПХОГФ), при осуществлении которого

получают плазму, используя источник плазмы, включающий: (i) первую электронно-активную поверхность, (ii) вторую электронно-активную поверхность и (iii) источник питания, с которым электрически соединены электронно-активные поверхности, выполненный с возможностью попеременного изменения полярности напряжения и подачи напряжения на первую электронно-активную поверхность, сдвинутого по фазе относительно напряжения, подаваемого на вторую электронно-активную поверхность, вызывая поток тока, включающий электроны между электронно-активными поверхностями, так что источник плазмы создает плазму между электронно-активными поверхностями, по существу, при предотвращении возникновения тока Холла;

пропускают газ-прекурсор и газ-реагент вблизи плазмы;

помещают вблизи плазмы подложку, по меньшей мере на одну поверхность которой должно быть нанесено покрытие;

подвергают воздействию энергии газ-прекурсор, разлагая его частично или полностью; и

осаждают с использованием ПХОГФ покрытие на указанную по меньшей мере одну поверхность подложки,

причем при частичном или полном разложении газа-прекурсора под воздействием энергии формируются конденсируемые молекулярные образования, которые сцепляются по меньшей мере с одной поверхностью подложки.

21. Способ по п.20, в котором покрытие наносят со скоростью по меньшей мере примерно 0,2 мкм/с.

22. Способ по п.21, в котором покрытие наносят со скоростью по меньшей мере примерно 0,3 мкм/с.

23. Способ по п.22, в котором покрытие наносят со скоростью по меньшей мере примерно 0,5 мкм/с.

24. Способ по п.20, в котором двумерная плазма имеет длину по меньшей мере 0,5 м.


наверх