Бюллетень ЕАПВ "Изобретения (евразийские заявки и патенты)"
Бюллетень 08´2017

  

(21) 

201791045 (13) A1       Разделы: A B C D E F G H    

(22) 

2014.11.14

(51) 

H01L 29/786 (2006.01)
H01L 21/336
(2006.01)

(31) 

201410631072.6

(32) 

2014.11.11

(33) 

CN

(86) 

PCT/CN2014/091057

(87) 

WO 2016/074204 2016.05.19

(71) 

ШЭНЬЧЖЭНЬ ЧАЙНА СТАР ОПТОЭЛЕКТРОНИКС ТЕКНОЛОДЖИ КО., ЛТД. (CN)

(72) 

Ван Сяосяо, Сяо Сян Чи, Ду Пэн, Су Чан-И, Сюй Хунюань, Сунь Бо (CN)

(74) 

Носырева Е.Л. (RU)

(54) 

LTPS TFT, ОБЛАДАЮЩИЙ ДВУХЗАТВОРНОЙ СТРУКТУРОЙ, И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ LTPS TFT

(57) Настоящее изобретение предлагает низкотемпературный поликремниевый тонкопленочный транзистор, обладающий двухзатворной структурой, и способ формирования низкотемпературного поликремниевого тонкопленочного транзистора. Низкотемпературный поликремниевый тонкопленочный транзистор содержит подложку, один или несколько структурированных слоев аморфного кремния (a-Si), расположенные в запирающем слое на подложке, для формирования нижнего затвора, NMOS, расположенный на запирающем слое, и PMOS, расположенный на запирающем слое. NMOS содержит структурированный слой затворного электрода (GE) в качестве верхнего затвора, и структурированный слой GE и нижний затвор, сформированные одним или несколькими структурированными a-Si слоями, образуют двухзатворную структуру. Настоящее изобретение предлагает низкотемпературный поликремниевый тонкопленочный транзистор с более стабилизированной I-V характеристикой, лучшей приводной способностью, низким энергопотреблением и более высокой производительностью.

Увеличить масштаб


наверх