Бюллетень ЕАПВ "Изобретения (евразийские заявки и евразийские патенты)"
Бюллетень 07´2017

  

(11) 

027401 (13) B1       Разделы: A B C E F G H    

(21) 

201171299

(22) 

2010.06.04

(51) 

C03C 17/23 (2006.01)
C03C 17/245
(2006.01)
B23K 26/00
(2006.01)
H01L 31/0216
(2006.01)
H01L 31/0224
(2006.01)
C23C 14/58
(2006.01)
C03C 17/34
(2006.01)

(31) 

0953742

(32) 

2009.06.05

(33) 

FR

(43) 

2012.06.29

(86) 

PCT/FR2010/051097

(87) 

WO 2010/139908 2010.12.09

(71) 

(73) СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС (FR)

(72) 

Пете Эммануэль, Харченко Андрий, Надо Николя (FR)

(74) 

Медведев В.Н. (RU)

(54) 

СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ТОНКОГО СЛОЯ И ПОЛУЧЕННЫЙ ПРОДУКТ

(57) 1. Способ получения подложки, покрытой на первой стороне по меньшей мере одним прозрачным и электропроводным тонким слоем на основе по меньшей мере одного оксида, содержащий следующие этапы:

осаждают упомянутый по меньшей мере один тонкий слой на упомянутую подложку,

подвергают упомянутый по меньшей мере один тонкий слой этапу термообработки, на котором обрабатывают упомянутый по меньшей мере один тонкий слой лазерным излучением, сфокусированным на зоне упомянутого по меньшей мере одного тонкого слоя, по меньшей мере один размер которой не превышает 10 см, причем упомянутое лазерное излучение испускается по меньшей мере одним лазером, помещенным напротив упомянутого по меньшей мере одного тонкого слоя, и между упомянутыми лазером и подложкой создается относительное перемещение так, чтобы обработать желаемую поверхность, причем термообработка такова, что удельное сопротивление упомянутого по меньшей мере одного тонкого слоя снижается во время термообработки, при этом упомянутый по меньшей мере один тонкий слой перед этапом термообработки покрывают слоем графита или аморфного углерода, толщина которого составляет меньше 5 нм.

2. Способ по п.1, согласно которому удельное сопротивление упомянутого по меньшей мере одного прозрачного и электропроводного тонкого слоя или его поверхностное сопротивление снижается по меньшей мере на 60 или же 70 и даже 75% относительно измеренного перед термообработкой удельного сопротивления или поверхностного сопротивления.

3. Способ по одному из предыдущих пунктов, согласно которому подложка выполнена из стекла или органического полимерного материала.

4. Способ по одному из предыдущих пунктов, согласно которому упомянутый по меньшей мере один тонкий слой выполнен на основе по меньшей мере одного оксида, выбранного из смешанных оксидов индия и олова, смешанных оксидов индия и цинка, оксида цинка, легированного галлием, и/или алюминием, и/или титаном, и/или индием, оксида титана, легированного ниобием и/или танталом, станната кадмия или цинка, оксида олова, легированного фтором и/или сурьмой.

5. Способ по предыдущему пункту, согласно которому упомянутый по меньшей мере один тонкий слой имеет после термообработки удельное сопротивление, меньшее или равное 7×10-4 Ом×см, в частности 6×10-4 Ом×см, и поглощение, меньшее или равное 1,2%, в частности 1%, при толщине слоя 100 нм.

6. Способ по одному из предыдущих пунктов, согласно которому температуру стороны упомянутой подложки, противоположной стороне обработки, во время термообработки поддерживают не превышающей 100 или 50°C, в частности 30°C.

7. Способ по одному из предыдущих пунктов, согласно которому поверхностную плотность мощности излучения устанавливают большей или равной 10 кВт/см2.

8. Способ по одному из предыдущих пунктов, согласно которому по меньшей мере один размер зоны, на которой сфокусировано излучение, не превышает 5 см, в частности 1 см и даже 5 мм или же 1 мм и даже 0,5 мм.

9. Способ по одному из предыдущих пунктов, согласно которому упомянутый лазер испускает лазерный луч, образующий прямую линию на покрытой подложке и одновременно облучающий всю ширину подложки.

10. Способ по одному из предыдущих пунктов, согласно которому упомянутый лазер встроен в установку осаждения упомянутого по меньшей мере одного тонкого слоя, в частности введен в одну из камер установки осаждения катодным распылением.

11. Способ по одному из предыдущих пунктов, согласно которому осаждение упомянутого по меньшей мере одного тонкого слоя осуществляют катодным распылением с поддержкой магнитным полем.

12. Способ по одному из предыдущих пунктов, согласно которому толщина слоя графита или аморфного углерода составляет меньше 2 нм, в частности меньше 1 нм.


наверх