Бюллетень ЕАПВ "Изобретения (евразийские заявки и евразийские патенты)"
Бюллетень 07´2017

  

(11) 

027273 (13) B1       Разделы: A B C E F G H    

(21) 

201500074

(22) 

2014.12.24

(51) 

H01L 33/44 (2010.01)
G01N 21/35
(2014.01)

(43) 

2016.06.30

(96) 

2014000155 (RU) 2014.12.24

(71) 

(73) ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "МИКРОСЕНСОР ТЕХНОЛОДЖИ" (RU)

(72) 

Стоянов Николай Деев, Петухов Андрей Александрович, Кижаев Сергей Сергеевич, Молчанов Сергей Сергеевич, Семенча Александр Вячеславович (RU)

(74) 

Нилова М.И. (RU)

(54) 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ В АНАЛИЗИРУЕМОЙ СРЕДЕ

(57) 1. Полупроводниковое устройство, такое как светодиод или фотодиод, для среднего инфракрасного диапазона спектра, содержащее по меньшей мере один полупроводниковый чип, выполненный на основе гетероструктуры, имеющий токопроводящие контакты и размещенный на теплопроводной основе, а также оптическое покрытие из материала на основе полупроводниковой халькогенидной системы, содержащей As, S, Se, причем халькогенидная система дополнительно содержит по меньшей мере один галоген, выбранный из группы, содержащей I, Br, Cl.

2. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором гетероструктура представляет собой структуру GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb/GaSb.

3. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором гетероструктура представляет собой структуру InAs/InAsSb/InSbP.

4. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором гетероструктура представляет собой структуру InAs/InSbP/InAsSbP.

5. Способ нанесения оптического покрытия на полупроводниковое устройство, такое как светодиод или фотодиод, для среднего инфракрасного диапазона спектра, согласно которому материал, представляющий собой полупроводниковую халькогенидную систему, содержащую As, S, Se и по меньшей мере один галоген, выбранный из группы, содержащей I, Br, Cl, нагревают до температуры текучести материала, наносят нагретый материал на полупроводниковый чип, выполненный на основе гетероструктуры, после чего осуществляют охлаждение полученного оптического покрытия.

6. Способ по п.5, согласно которому нанесение указанного нагретого материала выполняют капельным путем, при этом указанный материал наносят в количестве, превышающем необходимое количество, требуемое для формирования оптического покрытия, после нанесения указанного материала на полупроводниковый чип указанный чип переворачивают с обеспечением стекания избыточного количества материала и формирования оптического покрытия, имеющего радиально симметричную форму.

7. Способ по п.5, согласно которому перед нанесением указанного материала располагают полупроводниковое устройство в положении, при котором его поверхность, на которую наносят покрытие, является нижней, нанесение указанного материала выполняют посредством приведения в контакт указанной поверхности полупроводникового устройства с указанным материалом с обеспечением смачивания указанной поверхности полупроводникового устройства указанным материалом, после чего извлекают полупроводниковое устройство и обеспечивают стекание избыточного количества указанного материала с формированием оптического покрытия, имеющего радиально симметричную форму.

8. Способ по п.5, согласно которому заполняют указанным материалом форму, имеющую выемку, конфигурация которой соответствует требуемой конфигурации оптического покрытия, располагают полупроводниковое устройство в положении, при котором поверхность, на которой размещен полупроводниковый чип, является нижней, а нанесение материала осуществляют посредством приведения в контакт указанной поверхности полупроводникового устройства с указанным материалом в указанной выемке, при этом охлаждение оптического покрытия осуществляют в указанной форме, после чего полупроводниковое устройство извлекают.

9. Устройство для определения химического состава веществ в анализируемой среде, содержащее трубчатый корпус, в котором выполнены

входной и выходной каналы, обеспечивающие циркуляцию анализируемой среды,

по меньшей мере один источник инфракрасного излучения, установленный на одном конце корпуса,

и по меньшей мере один приемник инфракрасного излучения, установленный на другом конце корпуса,

при этом источник инфракрасного излучения и приемник инфракрасного излучения расположены на одной оптической оси, которая совпадает с продольной осью трубчатого корпуса, и спектрально согласованы друг с другом,

причем источник инфракрасного излучения и приемник инфракрасного излучения выполнены на основе полупроводникового устройства по любому из пп.1-4.

10. Устройство по п.9, в котором в корпусе дополнительно установлена светоотражающая трубка.

11. Устройство по п.9, которое дополнительно содержит по меньшей мере один конический рефлектор, расположенный на источнике инфракрасного излучения или приемнике инфракрасного излучения.

12. Устройство по п.9, которое дополнительно содержит два конических рефлектора, один из которых расположен на источнике инфракрасного излучения, а другой расположен на приемнике инфракрасного излучения.

13. Устройство по п.9, которое дополнительно содержит опорный приемник излучения.

Увеличить масштаб


наверх