Бюллетень ЕАПВ "Изобретения (евразийские заявки и евразийские патенты)"
Бюллетень 01´2017

  

(11) 

025612 (13) B1       Разделы: A B C D E F G H    

(21) 

201391462

(22) 

2012.03.30

(51) 

C03C 17/34 (2006.01)
C23C 14/00
(2006.01)

(31) 

1152873

(32) 

2011.04.04

(33) 

FR

(43) 

2014.02.28

(86) 

PCT/FR2012/050690

(87) 

WO 2012/136919 2012.10.11

(71) 

(73) СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС (FR)

(72) 

Попофф Александр, Нгьем Бернар (FR)

(74) 

Медведев В.Н. (RU)

(54) 

СТЕКЛЯННАЯ ПОДЛОЖКА СО СЛОЕМ, ИМЕЮЩИМ НЕБОЛЬШУЮ ШЕРОХОВАТОСТЬ

(57) 1. Стеклянная подложка с кристаллическим покрытием, отличающаяся тем, что покрытие представляет собой прозрачный слой оксида, состоящий из кристаллитов размером по меньшей мере 25 нм, покрытый прозрачным слоем оксида, состоящим из кристаллитов размером не более 10 нм, причем слой кристаллитов с размером по меньшей мере 25 нм и слой кристаллитов с размером не более 10 нм являются электропроводными и выбраны из SnO2:F, SnO2:Sb, ZnO:Al, ZnO:Ga, InO:Sn, ZnO:In, или не электропроводными и выбраны из SnO2, ZnO, InO, или фотокаталитическими и состоят из TiO2.

2. Стеклянная подложка по п.1, отличающаяся тем, что толщина слоя из кристаллитов размером не более 10 нм составляет не более 350 нм.

3. Стеклянная подложка по любому из пп.1, 2, отличающаяся тем, что толщина слоя из кристаллитов размером не более 10 нм составляет не более 250 нм.

4. Стеклянная подложка по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что между подложкой и слоями оксидов имеется слой, защищающий от миграции щелочно-земельных металлов стекла.

5. Способ получения стеклянной подложки по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что указанные слои, состоящие из кристаллитов размером по меньшей мере 25 нм и кристаллитов размером не более 10 нм соответственно образованы путем химического осаждения в паровой фазе при относительно высокой температуре подложки и соответственно при относительно низкой температуре подложки, причем относительно высокая температура подложки, по меньшей мере, равна 550°C, а относительно низкая температура подложки равна по меньшей мере 300°C и не более 500°C.

6. Применение стеклянной подложки по любому из пп.1-4 в качестве остекления с низким коэффициентом излучения в строительстве или на транспортном средстве.

7. Применение стеклянной подложки по любому из пп.1-4 в качестве дверцы печи в электробытовых приборах.

8. Применение стеклянной подложки по любому из пп.1-4 в качестве структуры с нагревательным слоем в электробытовых приборах.

9. Применение стеклянной подложки по любому из пп.1-4 для контроля солнечного излучения на поверхности остекления, находящейся в контакте с внешней средой.


наверх