(21)	201201245 (13) A1	Разделы: A B C D E F G H
(22)	2012.09.14
(51)	H01L 21/205 (2006.01) H01L 33/30 (2010.01) H01L 31/0304 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
(96)	2012000186 (RU) 2012.09.14
(71)	ООО "ЛЕД МИКРОСЕНСОР НТ" (RU)
(72)	Кижаев Сергей Сергеевич (RU)
(74)	Нилова М.И. (RU)
(54)	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР (ВАРИАНТЫ) ДЛЯ СРЕДНЕГО ИК-ДИАПАЗОНА, ГЕТЕРОСТРУКТУРА (ВАРИАНТЫ) И СВЕТОДИОД И ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ ЭТОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

(57) Изобретение относится к технологии изготовления источников спонтанного излучения на основе полупроводниковых соединений типа А^lllB^V для спектрального диапазона 2,6-4,7 мкм и к технологии изготовления фоточувствительных структур для спектрального диапазона 2,0-4,7 мкм. По первому варианту реализации гетероструктура содержит подложку, содержащую InAs, барьерный слой, содержащий InSbP и расположенный на подложке, активный слой, содержащий InAsSbP и расположенный на барьерном слое. Светодиоды, изготовленные на основе первого варианта гетероструктуры, излучают на длине волны из диапазона 2,6-3,1 мкм. По второму варианту реализации гетероструктура содержит подложку, содержащую InAs, активную область, содержащую InAsSb и расположенную на подложке, барьерный слой, содержащий InSbP и расположенный на активной области. Активная область может содержать объемный активный слой InAsSb, квантовые ямы InAs/lnAsSb или напряженную сверхрешетку GalnAs/lnAsSb. Светодиоды, изготовленные на основе второго варианта гетероструктуры, излучают на длине волны из диапазона 3,1-4,7 мкм, а фотодиоды обладают широкополосной чувствительностью в диапазоне 2,0-4,7 мкм. В способе изготовления гетероструктуры в качестве источника мышьяка используют трет-бутиларсин, а в качестве источника фосфора используют трет-бутилфосфин.