Бюллетень ЕАПВ "Изобретения (евразийские заявки и евразийские патенты)"
Бюллетень 2´2007

  

(11)

008276 (13) B1       Разделы: A B C D E F G H   

(21)

200500166

(22)

2002.10.08

(51)

C30B 1/00 (2006.01)
C30B 1/12
(2006.01)

(31)

60/393,829

(32)

2002.07.08

(33)

US

(43)

2005.08.25

(86)

PCT/US2002/032003

(87)

WO 2004/005203 2004.01.15

(71)(73)

СЗТ ИНК. (US)

(72)

Кьюратоло Сузанна (US)

(74)

Высоцкая Н.Н. (RU)

(54)

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ И КРЕМНИЕВЫЙ МАТЕРИАЛ, СТОЙКИЙ К ВОЗДЕЙСТВИЮ Н И ОН

(57) 1. Способ формирования монокристаллической структуры соединения на основе кремния со структурой SiO2Tex , где величина "х" находится в интервале от 1/3 до 1/5, включающий

введение компонентов соединения на основе кремния в тигель, по существу, сферической формы,

герметизацию тигля в сферической оболочке,

нагрев соединения в печи при температуре от 700 до 1000°С и в течение промежутка времени от 3,5 до 7 ч с образованием из соединения монокристаллического материала.

2. Способ по п.1, в котором указанным соединением является соединение на основе кремния и теллур.

3. Способ по п.1, в котором формируют монокристаллический материал, имеющий двойниковую кристаллическую структуру.

4. Способ по п.3, в котором двойниковая кристаллическая структура имеет угол сдвоения, равный 90°.

5. Способ по п.1, в котором диаметр тигля равен по меньшей мере двум диаметрам отверстия в тигле, через которое вводят соединение.

6. Способ по п.1, в котором тигель выполнен из кварца или золота.

7. Способ по п.1, в котором закрывают отверстие тигля, через которое вводят соединение.

8. Способ по п.1, в котором нагрев проводят до тех пор, пока весь материал не образует монокристаллический материал из соединения на основе кремния.

9. Способ по п.1, в котором нагрев осуществляют при температуре ниже температуры ионизации компонентов соединения.

10. Способ по п.1, который обеспечивает формирование агрегата монокристаллического материала из компонентов соединения на основе кремния.

11. Способ формирования монокристаллической структуры соединения на основе кремния со структурой SiO2Tex, где величина "х" находится в интервале от 1/3 до 1/5, имеющей, по существу, пологую характеристику зависимости потерь пропускания оптического сигнала от длины волны, по меньшей мере, в области длин волн от 1200 до 1700 нм, включающий

размещение компонентов соединения на основе кремния в тигле, по существу, сферической формы,

герметизацию тигля в сферической оболочке,

нагрев указанного соединения в печи при температуре от 700 до 1000°С и в течение промежутка времени от 3,5 до 7 ч, обеспечивающих создание монокристаллического материала, имеющего, по существу, пологую характеристику зависимости потерь пропускания оптического сигнала от длины волны, по меньшей мере, в области длин волн от 1200 до 1700 нм.

12. Способ по п.11, в котором указанным соединением является соединение на основе кремния и теллур.

13. Способ по п.11, который обеспечивает формирование монокристаллического материала с двойниковыми кристаллическими структурами.

14. Способ по п.13, в котором двойниковые кристаллические структуры имеют угол сдвоения, равный 90°.

15. Способ по п.11, в котором диаметр тигля равен по меньшей мере двум диаметрам отверстия в тигле, через которое вводят вещества.

16. Способ по п.11, в котором тигель выполнен из кварца или золота.

17. Способ по п.11, в котором закрывают отверстие тигля, через которое вводят соединение.

18. Способ по п.11, в котором нагрев проводят до тех пор, пока весь материал не образует монокристаллический материал.

19. Способ по п.11, в котором нагрев осуществляют при температуре ниже температуры ионизации компонентов соединения.

20. Способ по п.11, который обеспечивает образование агрегата монокристаллического материала.

21. Оптический материал, способный пропускать оптический сигнал, содержащий монокристаллические структуры из соединения на основе кремния со структурой SiO2Tex, где значение "х" находится в интервале от 1/3 до 1/5, имеющий, по существу, пологую характеристику зависимости потерь пропускания оптического сигнала от длины волны, по меньшей мере, в области длин волн от 1200 до 1700 нм.

22. Оптический материал по п.21, монокристаллические структуры которого имеют двойниковые кристаллические структуры.

23. Оптический материал по п.21, в котором двойниковые кристаллические структуры имеют угол сдвоения, равный 90°.

24. Оптический материал по п.21, структура которого имеет существенно пологую характеристику зависимости потерь пропускания оптического сигнала от длины волны, по меньшей мере, в области длин волн от 1200 до 1700 нм.

25. Оптический материал по п.21, представляющий собой один или более элементов из группы элементов, в которую входят волокно, стержень, тонкий диск и кристалл.

26. Оптический материал по п.21, представляющий собой тонкий диск.

27. Оптический материал, включающий в себя монокристаллическую структуру из кремния и теллура, имеющую рентгенограмму, показанную на фиг. 8.

28. Подложка, имеющая поверхностное покрытие из материала по пп.21-27, который включает в себя монокристаллические структуры из соединения на основе кремния со структурой SiO2Tex, где величина "х" находится в интервале от 1/3 до 1/5, имеющие существенно пологую характеристику зависимости потерь пропускания оптического сигнала от длины волны, по меньшей мере, в области длин волн от 1200 до 1700 нм.

29. Подложка по п.28, представляющая собой металлическую или керамическую подложку.



наверх