Бюллетень ЕАПВ "Изобретения (евразийские заявки и евразийские патенты)"
Бюллетень 2´2007

  

(11)

008187 (13) B1       Разделы: A B C D E F G H   

(21)

200501086

(22)

2005.06.07

(51)

H01L 21/3065 (2006.01)
C23C 14/46
(2006.01)
C23C 14/50
(2006.01)

(43)

2006.12.29

(96)

2005/EA/0032 (BY) 2005.06.07

(71)(72)(73)

ШИРИПОВ ВЛАДИМИР ЯКОВЛЕВИЧ; ХИСАМОВ АЙРАТ ХАМИТОВИЧ; МАРЫШЕВ СЕРГЕЙ ПАВЛОВИЧ (BY)

(74)

Панченко Л.С., Скобкарева Л.П. (BY)

(54)

СПОСОБ ОЧИСТКИ ТЕНЕВЫХ МАСОК В ПРОИЗВОДСТВЕ ДИСПЛЕЕВ (ВАРИАНТЫ) И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

(57) 1. Способ очистки теневых масок в производстве дисплеев, включающий формирование ионного пучка в вакуумной камере с помощью источника ионов, размещение маски в камере напротив эмиссионной поверхности источника ионов, отличающийся тем, что в вакуумной камере устанавливают охлаждаемый держатель, в котором размещают маску, при этом обрабатываемую поверхность маски, обращенную в сторону эмиссионной поверхности источника ионов, сканируют сфокусированными ленточными пучками ионов, причем тангенциальную скорость сканирования выбирают таковой, чтобы доза энергии, получаемая элементом поверхности маски при однократном прохождении пучка ионов по этой поверхности, не превышала количество тепла, соответствующего максимально допустимому перегреву, а в качестве ионобразующего газа используют кислород или его смесь.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что кислород смешивают с газами из следующего ряда: Аr, Хе, Kr, Ne, N2, СхНу, CxFy.

3. Способ по любому из пп.1, 2, отличающийся тем, что доля кислорода в смеси превышает 10%.

4. Способ очистки теневых масок в производстве дисплеев, включающий формирование ионного пучка в вакуумной камере с помощью источника ионов, размещение маски в камере напротив эмиссионной поверхности источника ионов, отличающийся тем, что в вакуумной камере устанавливают охлаждаемый держатель, в котором размещают маску, при этом маску прижимают к держателю прижимным механизмом для обеспечения теплового контакта между охлаждаемым держателем и необрабатываемой поверхностью маски, а обрабатываемую поверхность маски, обращенную в сторону эмиссионной поверхности источника ионов, сканируют сфокусированными ленточными пучками ионов, причем тангенциальную скорость сканирования выбирают таковой, чтобы доза энергии, получаемая элементом поверхности маски при однократном прохождении пучка ионов по этой поверхности, не превышала количество тепла, соответствующего максимально допустимому перегреву, а в качестве ионобразующего газа используют кислород или его смесь.

5. Способ по п.4, отличающийся тем, что кислород смешивают с газами из следующего ряда: Аr, Хе, Kr, Ne, N2, СхНу, CxFy.

6. Способ по любому из пп.4, 5, отличающийся тем, что доля кислорода в смеси превышает 10%.

7. Способ по п.4, отличающийся тем, что прижатие маски к поверхности охлаждаемого держателя осуществляют с помощью магнитного поля, создаваемого источником магнитного поля.

8. Устройство для реализации способа по любому из пп.1, 4, содержащее вакуумную камеру и установлен­ные в ней по крайней мере один источник ионов и маску, обрабатываемая поверхность которой направлена в сторону эмиссионной поверхности источника ионов, отличающееся тем, что оно дополнительно снабжено охлаждаемым держателем, размещенным внутри вакуумной камеры, и прижимным механизмом, размещенным над и/или внутри вакуумной камеры и предназначенным для прижатия маски к охлаждаемому держателю и обеспечения теплового контакта между охлаждаемым держателем и необрабатываемой поверхностью маски, при этом источник ионов выполнен с возможностью изменения координаты пересечения пучка ионов с обрабатываемой поверхностью маски.

9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что в качестве источника ионов использован ускоритель с анодным слоем линейного типа.

10. Устройство по п.8, отличающееся тем, что источник ионов размещен в установочном элементе с зазором по отношению к охлаждаемому держателю.

11. Устройство по п.10, отличающееся тем, что установочный элемент снабжен поворотным механизмом, обеспечивающим поворот установочного элемента вместе с источником ионов.

12. Устройство по п.11, отличающееся тем, что угол поворота источника ионов вместе с установочньм элементом определяют количество источников, установленных в вакуумной камере, и площадь маски.

13. Устройство по п.10, отличающееся тем, что установочный элемент размещен параллельно продольным осям источника ионов и охлаждаемого держателя.

14. Устройство по п.8, отличающееся тем, что прижимной механизм установлен с возможностью перемещения в направлении, перпендикулярном плоскости маски.

15. Устройство по п.8, отличающееся тем, что оно содержит два и более источника ионов, размещенных в установочных элементах.

16. Устройство по п.15, отличающееся тем, что установочные элементы источников ионов параллельны и лежат в одной плоскости, параллельной плоскости маски.

17. Устройство по п.15, отличающееся тем, что установочные элементы источников ионов непараллельны и лежат в разных плоскостях.

18. Устройство по п.11, отличающееся тем, что поворотный механизм выполнен с возможностью изменения скорости поворота установочного элемента.

19. Устройство по п.8, отличающееся тем, что прижимной механизм выполнен в виде многополюсной магнитной системы.

20. Устройство по п.19, отличающееся тем, что многополюсная магнитная система выполнена в виде комплекта постоянных магнитов.



наверх